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14–16 oct. 2019
IJCLab
Fuseau horaire Europe/Paris

Modeling of AlGaN/GaN High-electron-mobility transistor using gate field-plate technology for high-frequency applications

15 oct. 2019, 18:15
1h 40m

Orateur

Mourad Kaddeche (Département de Technologie, Faculté des Sciences et de la Technologie, Université de Djilali Bounaâma- Khemis miliana, Ain Defla, 44225 Algeria)

Documents de présentation

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